Transistor MOSFET Canal-N 200V 18A para Inversores SAMLEX 125W TO-220AB, SYSCOM IRF-640

SKU: IRF-640

Transistor MOSFET Canal-N SYSCOM IRF-640

El Transistor MOSFET Canal-N SYSCOM IRF-640 es un componente esencial para inversores SAMLEX de 125 Watt. Diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia, este MOSFET cuenta con una tensión de ruptura de 200 voltios y una corriente máxima de 18 amperios, lo que lo hace ideal para inversores que convierten corriente continua (CC) en corriente alterna (CA). Su encapsulado TO-220AB garantiza una disipación de calor eficiente, lo que prolonga la vida útil del dispositivo y mejora el rendimiento general del inversor.

Gracias a su diseño optimizado y bajo resistencia de encendido, el transistor MOSFET SYSCOM IRF-640 ofrece una alta eficiencia energética, reduce las pérdidas de potencia y minimiza la generación de calor. Su construcción robusta y materiales de alta calidad aseguran una operación confiable y duradera en condiciones exigentes. Además, es compatible con una amplia gama de inversores SAMLEX, lo que lo convierte en una solución versátil y conveniente para diversas aplicaciones de conversión de energía.

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Descripción

 

     MOSFET Canal-N, 200 V., 18 Amp., para Inversores SAMLEX, 125 Watt, TO-220AB.

Información adicional

Peso 0,01 kg
Dimensiones 2 × 1 × - cm

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